ترانزیستورها اغلب از سیلیکون که یک عنصر شیمیایی موجود در ماسه است ساخته میشوند. سیلیکون در حالت نرمال الکتریسیته را هدایت نمیکند، یعنی اجازه نمیدهد الکترونها به راحتی از آن عبور کنند. سیلیکون یک ماده نیمه هادی است، به این معنی که در واقع نه یک رسانا است (چیزی شبیه فلز که اجازه می دهد الکتریسیته جریان یابد) و نه یک عایق (چیزی مانند پلاستیک که جریان الکتریسیته را متوقف می کند). اگر سیلیکون را با ناخالصیها ترکیب کنیم (فرآیندی که به عنوان دوپینگ شناخته میشود)، رفتار آن در برابر عبور جریان الکتریکی متفاوت میشود. اگر سیلیکون را با عناصر شیمیایی آرسنیک، فسفر یا آنتیموان ترکیب کنیم، سیلیکون مقداری الکترون «آزاد» اضافی به دست میآورد، الکترونهایی که میتوانند جریان الکتریکی را حمل کنند، بنابراین الکترونها به طور طبیعی از آن خارج میشوند. از آنجایی که الکترون ها دارای بار منفی هستند، سیلیکونی که به این روش دوپ می شود را نوع n (نوع منفی) مینامیم. ما همچنین میتوانیم سیلیکون را با ناخالصیهای دیگر مانند بور، گالیم و آلومینیوم دوپ کنیم. سیلیکونی که به این روش ترکیب میشود، دچار کمبود الکترون میشود، بنابراین الکترونهای موجود در مواد مجاور تمایل دارند به درون آن جریان پیدا کنند. ما این نوع سیلیکون را نوع p (نوع مثبت) مینامیم.
توجه به این نکته مهم است که هیچ یک از سیلیکون های نوع n یا p به خودی خود شارژ ندارند: هر دو از نظر الکتریکی خنثی هستند. درست است که سیلیکون نوع n دارای الکترونهای «آزاد» اضافی است که رسانایی آن را افزایش میدهد، در حالی که سیلیکون نوع p کمتر از آن الکترونهای آزاد دارد که به افزایش رسانایی آن کمک میکند. در هر مورد، رسانایی اضافی ناشی از افزودن اتمهای خنثی از ماده ناخالصی به سیلیکون است که در ابتدا خنثی بوده است، توضیح دقیق تری نیاز دارد تا ایده ای به نام نظریه باند را معرفی کنم که کمی فراتر از حوصله این مقاله است. تنها چیزی که باید به خاطر داشته باشیم این است که «الکترونهای اضافی» به معنای الکترونهای آزاد اضافی هستند، الکترونهایی که میتوانند آزادانه حرکت کنند و به حمل جریان الکتریکی کمک کنند.